RF components

Los conmutadores de RF UltraCMOS protegen las señales de TV de banda ancha

Figura 1. Conmutador de RF PE42750 de Peregrine para aplicaciones de banda ancha.

 Las ventas relacionadas con la TV de banda ancha se encuentran en pleno auge en todo el mundo. Un reciente informe de ABI Research prevé que la facturación en Asia-Pacífico relacionada con el suministro de IPTV y banda ancha mediante fibra aumente un 34 por ciento para pasar de 110.000 millones de dólares a 147.000 millones de dólares entre 2010 y 2016. (http://www.fierceiptv.com/story/research-projects-147b-pay-tv-broadband-market-apac-2016/2011-07-05).

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Mezclador doble de banda ancha para receptores multimodo 4G MIMO

Linear Technology ha desarrollado y puesto en el mercado el LTC5569, un mezclador RF doble de altas prestaciones que presenta una combinación  de un IIP3 (punto de intercepción de tercer orden) de 26,8 dBm, 300 mW por mezclador y una cobertura de la gama de frecuencias para los receptores multimodo 4G RRH (Remote Radio Head, cabecera de radio remota) y MIMO (entrada múltiple-salida múltiple) de alta densidad.

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Microwave transistor technology based on gallium nitride (GaN) for Radar Applications

The following article examines the characteristics of the main materials currently used for manufacturing microwave transistors such as silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), Silicon Carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) and describes and condition the transistor operation when required high output powers, the order of hundreds and thousands of watts, usually necessary in radar applications.
Is displayed as microwave transistors made of GaN are suitable for high power applications due to superior physical and chemical properties of these semiconductors. If one adds the modern techniques of high-efficiency polarization, the transistors fabricated with gallium nitride technology emerge as suitable candidates for use in systems transmitters Radar

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