Transistores de GaN de alta potencia para banda de 700 MHz a 2,2 GHz

Unos nuevos transistores de alta potencia de RFMD de nitruro de galio (GaN) de banda ancha (BPTS) están optimizados para la infraestructura comercial,  comunicaciones militares, y aplicaciones generales de amplificador en la banda de frecuencia de 700MHz a 2,2 GHz. Son ideales para aplicaciones WCDMA y LTE. El uso de un avanzado proceso de GaN HEMT de alta densidad de potencia de 48 V optimizado para aplicaciones de alta relación de pico a promedio, permite a estos transistores alcanzar una alta eficiencia y ganancia plana en un amplio rango de frecuencias en un diseño único amplificador. La serie RFG1M son  dispositivos transistores de entrada adaptada en encapsulado cerámico de cavidad de aire que proporciona una excelente estabilidad térmica.

Otras características:
-    Alta potencia de pico de modulación: RFG1M09090> 120 W, RFG1M09180> 240 W,
RFG1M20090> 90 W, RFG1M20180> 180 W.
-    Temperatura de funcionamiento: -25  ºC a 85 ºC.
-    Optimizados para de ancho de banda de vídeo y minimizar los efectos de memoria.
-    Han superado las pruebas RF de rendimiento de 3GPP y de potencia máxima con IS95.

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