Transistor de potencia de 1.25Kw MRFE6VP61K25 de Freescale

Richardson Electronics presenta de Freescale Semiconductor el primer transistor de potencia de 50 V LDMOS que puede entregar toda su potencia de salida de 1,25 kW después de soportar una carga VSWR de 65:1 (en todos los ángulos de fase). Su extrema capacidad de resistencia representa la mayor ventaja a la hora de elegir un transistor de potencia de RF para diseños de amplificadores para espacio/defensa, excitadores de láser CO2, generadores de plasma, sistemas amplificadores de RF para imágenes de resonancia magnética (MRI), FM, amplificadores de radiodifusión DVB-T y una gran variedad de amplificadores lineales para equipos de comunicaciones en HF/VHF en el rango de frecuencia de 1,8 a 600 MHz.

Otras características del transistor de potencia MRFE6V61K25H/HS:

-    Puede ser utilizado en configuraciones Push- Pull y single- ended.
-    Su alta ganancia de 24dB permite menos pasos de amplificación en muchos diseños.
-    Baja impedancia térmica.
-    Voltaje de alimentación entre 30 y 50 V.
-    Capad de entregar 1250 W tanto en CW como en operaciones pulsadas.
-    Disponibilidad en encapsulados cerámicos bolt-down y solder-down. Más información o presupuesto