MRFE6VP6300 de Freescale proporciona una robustez extrema en 300W

Freescale Semiconductor ha introducido el primer transistor de potencia de 50V LDMOS que con una  potencia máxima de salida de 300W es capaz de soportar  desacoplamientos de carga de hasta VSWR 65:1 (en todos los ángulos de fase).

Su extrema capacidad de resistencia representa la mayor ventaja a la hora de elegir un transistor de potencia de RF para diseños de amplificadores en aplicaciones espacio/defensa, excitadores de laser CO2, generadores de plasma y una gran variedad de amplificadores  para uso industrial médicos y de radiodifusión. Estos nuevos transistores LDMOS están optimizados para trabajar en el rango de frecuencia de 1.8 a 600MHz.

Las principales caracteristicas del MRFE6VP6300H/HS incluyen:
•    300 Watts en Onda Continua (CW) o  pulsada (PW).
•    Ganancia típica de 26.5dB permitiendo reducir el número de etapas amplificadoras
•    Disponible en ambos formatos cerámicos “bolt-down” y “solder-down”.
•    Proporciona hasta un  80% de Eficiencia de Carga (ηD).
•    Puede ser utilizado en configuraciones Push-Pull o configuración única.
•    Baja Resistencia Termica

Hay disponible un breve video  (Lab Demo - High Rugged Test) con la demostración de la capacidad de resistencia con la carga VSWR de 65:1 para esta familia transistores de potencia  LDMOS de Freescale Semiconductor.

Freescale Semiconductor está distribuido por Richardson Electronics

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