Hemt GaAs de bajo ruido para 12 a 20 GHz
Mitsubishi Electric Corporation introduce el MGF4921AM, un HEMT (High Electron Mobility Transistor) de arseniuro de galio que está indicado para amplificadores de bajo ruido en receptores de radio digital por satélite así como en receptores DBS (Direct Broadcast Satellite) operando en banda C.
El nuevo dispositivo trabaja en bandas S a C con una figura de ruido típica de exactamente 0,35 dB a 2,4 o 4 GHz, que está en la vanguardia de la industria. A 2,4 GHz proporciona una ganancia de 18,0 dB.
Comparado con su predecesor MGF4953A de 12 GHz el nuevo MGF4921AM opera con frecuencias en el margen de 12 a 20 GHz mientras que simultáneamente ofrece una mejora de las características de ruido de 0,1 dB cuando se mide a 2,4 GHz en un circuito adaptador estable. Igual que el modelo antecesor el nuevo MGF4921AM se suministra en un encapsulado estándar industrial de 4 patillas.
El MGF4921AM está recomendado para operar una corriente de drenador ID de 15 mA (10 mA en ref.) a un VDS ) de 2 V.
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