Amplificador de potencia de GaN de 9 W para 30 MHz a 512 MHz

El circuito integrado de potencia (PIC) de GaN RFHA1003  de RFMD es un amplificador de potencia de banda ancha diseñado para aplicaciones de onda continua y pulsada, tales como las comunicaciones militares, guerra electrónica, infraestructura inalámbrica, radar, radios de dos vías y la amplificación de uso general. Utilizando una avanzado proceso de semiconductor de alta densidad de potencia de nitruro de galio (GaN), este amplificador de alto rendimiento logra una alta eficiencia, ganancia plana y potencia sobre un gran ancho de banda instantáneo en un diseño único amplificador. Este amplificador de GaN discreto son 50 W de entrada se suministre en encapsulado cerámico de cavidad de aire SOIC-8  (5mm x 6 mm) que proporciona una excelente estabilidad térmica a través del uso del disipador de calor y tecnologías avanzadasde energía de disipación.
Características

-    Tecnologçia HEMT de GaN.
-    Entrada internamente aoplada de 50 W.
-    Operación a 28 V y potencia de 9 W.
-    Banda instantánea: 30 MHz a 612 MHz.
-    Ganancia: 10 dB.
-    Eficiencia añadida de potencia del 70%.

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