Componentes RF

Sensores remotos alimentados mediante captación de RF

Las fuentes de energía,como la luz, el viento, la temperatura, la vibración, las ondas de radio e incluso el PH, se han convertido en energía aprovechable pero el reto estriba en cómo convertir la minúscula cantidad de energía generada para realizar una función útil,como la alimentación fiable de un sensor medioambiental.La Figura 1 muestra diversos métodos para captación de energía.

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Familia de FPGAs de bajo coste y mínimo consumo LatticeECP4TM: innovadoras características de alto rendimiento

Lattice Semiconductor Corpora-tion  ha redefinido el mercado de FPGAs de bajo costo, y baja potencia de rango medio con el anuncio de la próxima generación de la familia de FPGAs LatticeECP4™, con SERDES 6 Gbps en encapsulados wire-bond de bajo coste, potentes bloques DSP y motores robustos de comunicación basada en IP para los mercados inalámbricos, de telefonía fija, vídeo e informática, sensibles al coste y al consumo de energía.

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Los conmutadores de RF UltraCMOS protegen las señales de TV de banda ancha

Figura 1. Conmutador de RF PE42750 de Peregrine para aplicaciones de banda ancha.

 Las ventas relacionadas con la TV de banda ancha se encuentran en pleno auge en todo el mundo. Un reciente informe de ABI Research prevé que la facturación en Asia-Pacífico relacionada con el suministro de IPTV y banda ancha mediante fibra aumente un 34 por ciento para pasar de 110.000 millones de dólares a 147.000 millones de dólares entre 2010 y 2016. (http://www.fierceiptv.com/story/research-projects-147b-pay-tv-broadband-market-apac-2016/2011-07-05).

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Mezclador doble de banda ancha para receptores multimodo 4G MIMO

Linear Technology ha desarrollado y puesto en el mercado el LTC5569, un mezclador RF doble de altas prestaciones que presenta una combinación  de un IIP3 (punto de intercepción de tercer orden) de 26,8 dBm, 300 mW por mezclador y una cobertura de la gama de frecuencias para los receptores multimodo 4G RRH (Remote Radio Head, cabecera de radio remota) y MIMO (entrada múltiple-salida múltiple) de alta densidad.

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Tecnología de transistores de microondas basados en Nitruro de Galio (GaN) para aplicaciones Radar

El siguiente artículo estudia las características de los principales materiales utilizados en la actualidad para la fabricación de transistores de microondas como son Silicio (Si), Arseniuro de Galio (GaAs), Carburo de Silicio (SiC) y Nitruro de Galio (GaN) y describe como condicionan la operación del transistor cuando se requieren potencias de salida altas, del orden de cientos y miles de vatios, habitualmente las necesarias en aplicaciones Radar.
Se mostrará como los transistores de microondas fabricados con GaN son adecuados para aplicaciones de alta potencia debido a las superiores propiedades físicas y químicas de estos semiconductores. Si además añadimos las modernas técnicas de polarización de alta eficiencia, los transistores fabricados con la tecnología de Nitruro de Galio se perfilan como los candidatos idóneos para ser utilizados en los transmisores de sistemas Radar.

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