Peregrine Semiconductor desarrolla la próxima generación de proceso para Semiconductores RF CMOS junto a IBM Microelectronics

Peregrine Semiconductor Corporation ha anunciado un acuerdo de desarrollo conjunto en exclusiva con IBM para el desarrollo y la fabricación de futuras generaciones de la tecnología de proceso de silicio sobre zafiro (silicon-on-sapphire, SOS) UltraCMOS™ patentado por Peregrine, el proceso RF CMOS de más altas prestaciones en el mercado.

Cuando hayan sido completamente homologados, los CI de RF UltraCMOS de próxima generación serán fabricados por IBM para Peregrine en el proceso de 180 nanómetros desarrollado conjuntamente en la planta de fabricación de semiconductores de 200mm de IBM, situada en Burlington (Vermont, EE.UU.).

La tecnología UltraCMOS de Peregrine proporciona niveles sin parangón de prestaciones de RF y de integración monolítica para aplicaciones de fuerte crecimiento como la etapa de entrada de RF en teléfonos móviles y dispositivos inalámbricos móviles multimodo y multibanda; comunicaciones de banda ancha como equipamiento y estaciones base para 4G LTE; acondicionamiento de señal de RF en DTV/CATV; y sistemas para satélites espaciales.

IBM, un líder global en microelectrónica, incorpora la tecnología UltraCMOS de Peregrine a su avanzada capacidad para el proceso de semiconductores. Este desarrollo marca el primer uso comercial del proceso de obleas de 200mm (8 pulgadas) para el proceso de silicio sobre zafiro  -- una variación patentada de la tecnología de silicio sobre aislante (silicon-on-insulator, SOI) que incorpora una capa ultrafina de silicio sobre un sustrato de zafiro de alto aislamiento --, un hito que impulsará la próxima década de ingeniería basada en UltraCMOS.

"Estamos encantados de trabajar con Peregrine para abrir el camino a la próxima generación de circuitos RF sobre zafiro y ampliar nuestro liderazgo en sustratos aislantes mediante la incorporación del proceso UltraCMOS de 180nm a nuestra oferta de tecnologías RFSOI de primer nivel", declaró Regina Darmoni, director del negocio de Fabricación Analógica/Señal Mixta y Digital de IBM.

La adopción de obleas de 200mm facilita la evolución del proceso hacia nodos avanzados de 180nm, 130nm y 90nm. También ofrece acceso a herramientas avanzadas de fabricación y permite ampliar notablemente la capacidad de integración digital. El acuerdo con IBM proporciona asimismo, gracias a sus colaboradores en la Technology Alliance, unos niveles sin precedentes de capacidad de fabricación y una sólida cadena de suministro.

“Nos enorgullece enormemente desarrollar futuras generaciones de UltraCMOS con uno de los líderes globales en la tecnología de proceso de semiconductores”, declaró Jim Cable, presidente y director general de Peregrine Semiconductor. “Nuestra compañía ha estado comprometida desde hace tiempo para impulsar el cambio tecnológico en RF, llevando para ello nuestro proceso de RF de silicio sobra zafiro al mercado global. Al combinar los puntos fuertes de nuestras dos compañías, continuamos ofreciendo la promesa de la Ley de Moore a RF CMOS de altas prestaciones”.

La colaboración entre las dos compañías se inició en 2008 con la irrupción de CMOS para diseños de RF como alternativa viable a los procesos de compuestos semiconductores como el arseniuro de galio (GaAs). Entre las ventajas de CMOS se encuentran su fiabilidad, rentabilidad, alto rendimiento de la producción, portabilidad, escalabilidad e integración, todo ello demostrado por UltraCMOS. Además, Peregrine es conocida por su búsqueda de invenciones de ingeniería y de propiedad intelectual para el avance de la tecnología UltraCMOS. Una de las primeras innovaciones es la metodología de diseño HaRP™, que aportó unos niveles sin precedentes de prestaciones armónicas. Más recientemente, Peregrine presentó la tecnología DuNE™, que dio como resultado condensadores ajustables digitalmente que resuelven dificultades de diseño a los que se ha enfrentado la industria desde hace largo tiempo para el ajuste de RF.

“La realización de nuestro proceso UltraCMOS de 180nm sobre obleas de zafiro de 200mm es un fase muy importante de nuestra estrategia de desarrollo de procesos a largo plazo”, comentó Mark Miscione, vicepresidente y jefe de estrategia para soluciones tecnológicas en Peregrine Semiconductor. “Durante los últimos años, hemos invertido una importante cuantía de capital y de esfuerzos con nuestros colaboradores para potenciar toda la cadena de suministro de SOS y mejorar la economía del material del sustrato de zafiro en la base. Esto se ha visto completado con la aceptación global de la tecnología SOS, tal como demuestran los más de 600 millones de CI de RF UltraCMOS suministrados desde las fábricas en los últimos años. Estas mejoras se han visto impulsadas por el gran volumen de zafiro que se está utilizando actualmente en la industria de iluminación mediante LED, que experimenta un rápido crecimiento”.

Las primeras muestras de CI de RF UltraCMOS de 180nm se están suministrando a un importante cliente y la fase de producción comercial está prevista para 2011.  Entre los planes de evolución del producto se encuentran las etapas de entrada de RF configurables en forma de interruptores de RF de alta potencia, componentes ajustables y amplificadores de potencia.

 

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